Не успели своими успехами в области разработки FRAM-памяти поделиться NEC и Toshiba, как пришло сообщение от компании Ramtron.

металлические двери дом | металлические москва | металлические двери наружные | металлические оптом Стройпром | металлические двери решетчатые

металлические двери фирмы | металлические двери форпост | Металлические двери, железные и стальные входные двери. | металлические двери, стальные двери

Texas Instruments (TI) и Ramtron подписали коммерческое соглашение о производстве на мощностях TI FRAM-модулей по технологии, включая новейшие чипы с плотностью записи 4 Мбит.

металлические и стальные двери Esta | Металлические изделия Медимет Решётка металлическая | металлические камины | Металлические кровати матрас

Сегнетоэлектрическая энергонезависимая память с произвольным доступом к ячейкам (Ferroelectric Random Access non-volatile Memory, FRAM) имеет целый ряд преимуществ перед традиционной технологией: прежде всего, это способность сохранять данные при отключённом энергоснабжении, а также чрезвычайно высокие скорости чтения и записи.

металлические крышки Арго в консервации | металлические лестницы винтовые | Металлические соковыжималки электрочайники кофемолки кофеварки и другая кухонная техника.

Сотрудничество Ramtron и TI в этой сфере началось ещё в августе 2001 года, когда было подписано первое соглашение о развитии данного проекта. «Это производственное соглашение знаменует важный шаг на пути коммерческого продвижения FRAM-продуктов», – заявил глава Random Билл Стаунтон (Bill Staunton). Он также отметил, что в течение года планирует расширить производственную линейку ещё как минимум одним продуктом.

металлические стеллажи и доклевеллер | металлические | Металлические уголки к ежедневникуПерсонализация. | металлические шкафы производители

Согласно официальной информации, новый 4-мегабитный чип под FM22L16 имеет следующие основные характеристики:
- диапазон рабочего напряжения: 2,7 – 3,6 В;
- логическое построение: 256 Кбит x количество циклов перезаписи: менее 100
- среднее время 55 нс;
- длительность полного цикла: 110 нс;
- корпус: TSOP-II, 44-контактный;
- энергопотребление в активном режиме: 18 мА;
- энергопотребление в экономичном режиме: 5 мкА.

Отдельно следует отметить совместимость памятью типа SRAM. Цена новых модулей составит 19 долларов за штуку при минимальной партии 10000 штук.

Источник: DigiTimes